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1
Halbleiterepitaxie
De Gruyter
Helmut Günther Schneider
schichten
abb
silicium
substrat
epitaxie
korund
verfahren
abscheidung
schicht
sowie
oberfläche
phys
soc
abhängigkeit
gaas
growth
electrochem
erfolgt
sih
bzw
crystal
homoepitaxie
eigenschaften
temperatur
epitaxieschichten
schichtdicke
spinell
cvd
autodoping
herstellung
hcl
temperaturen
beweglichkeiten
epitaxieschicht
bedeutung
sowohl
abschn
appi
reaktion
verbindungshalbleitern
versetzungen
bedingungen
liegen
verbindungen
konzentration
anwendung
bereich
tabelle
gasphase
läßt
Yıl:
1985
Dil:
german
Dosya:
PDF, 32.00 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
german, 1985
2
Schaltkreistechnologien für digitale Rechenanlagen
De Gruyter
Utz G. Baitinger
abb
transistor
logik
transistoren
übergang
silizium
bauelemente
elektronen
schaltung
zeigt
collector
bzw
technik
emitter
begriffe
d.h
zustand
gate
kanal
wobei
spannung
daher
mikroelektronik
substrat
vorhanden
epitaxieschicht
abschnitt
ergibt
digitale
flipflop
ladungsträger
erhält
funktion
nand
gleichung
schaltkreise
kapazität
widerstand
kondensator
leitenden
verknüpfungsschaltungen
beispiel
drain
schwellspannung
schaltkreis
fets
wert
gilt
sowie
transistors
Yıl:
1973
Dil:
german
Dosya:
PDF, 23.27 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
german, 1973
3
Einführung in die Halbleitertechnologie
Vieweg+Teubner Verlag
Dr. phil. nat. Waldemar von Münch (auth.)
bild
herstellung
silizium
verfahren
halbleiter
verbindungen
erfolgt
dargestellt
d.h
bzw
schmelze
substrat
dotierung
diffusion
moglich
verwendet
urn
abscheidung
eingesetzt
zunachst
galliumarsenid
prinzip
schicht
bandabstand
z.b
abschnitt
beispielsweise
gaas
germanium
ionenimplantation
verwendung
feldeffekttransistoren
hergestellt
temperatur
atzung
bauelemente
beispiel
kristallisation
zeigt
mittels
siliziumdioxid
epitaxieschicht
schichten
wichtigsten
erzeugt
hohe
oxidation
dient
kontaktierung
sowie
Yıl:
1993
Dil:
german
Dosya:
PDF, 10.97 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
german, 1993
4
Kristall und Technik: Band 7, Heft 10
De Gruyter
figur
gaas
annealing
verbindungen
temperung
schichten
kossel
uber
abhängigkeit
films
kristalle
technik
herstellung
kristall
gaasp
oberfläche
proben
substrat
grains
cdf
temperature
berlin
bzw
recrystallization
homogenität
schicht
zeigt
wert
diffraction
einfluß
electron
linien
sowie
temperaturen
gitterkonstante
optischen
silizium
ätzgruben
absorption
recrystallized
relativ
wobei
werte
dargestellt
ergibt
kristallen
physics
resistance
zeichnen
bedingungen
Yıl:
2022
Dil:
german
Dosya:
PDF, 30.34 MB
Etiketleriniz:
0
/
0
german, 2022
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